ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ // Вестник БГУ. Химия. Физика. - 2024. №3. . - С. 41-47.

ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ

DOI: 10.18101/2306-2363-2024-3-41-47 УДК: 539.231

Рассмотрены условия выращивания тонких пленок нитридов (TiN, Si3N4 и AlN) ионно-лучевым методом получения слоев, что предполагает наличие трех этапов: распыление мишени ионами химически активного компонента или его смеси с инертным газом; перенос распыленных частиц на поверхность подложки; формирование тонкой пленки на поверхности подложки. Проведено моделирование первого этапа роста нитридных пленок по теории Зигмунда с использованием математической программы MathCad. Осуществлены расчеты коэффициентов распыления мишеней + Ti, Si и Al пучками ионов Ar+ и N2+, а также смесью газов Ar+ и N2 различного состава в интервале энергий распыляющих ионов от 1 до 10 кэВ. Результаты расчетов позволили предложить оптимальные режимы выращивания покрытий.

моделирование, тонкие пленки, нитриды, ионные пучки, распыление.

Семенов А. П. Пучки распыляющих ионов: получение и применение. Улан-Удэ: Изд-во БНЦ СО РАН, 1999. 207 с. Текст: непосредственный.

Sigmund P. Theory of Sputtering. Phys. Rev. 1969; 184(2): 383–416.

Belyanin A. F., Semenov A. P., Haltanova V. M. AlN thin film deposition by ion beam sputtering. Diamond and Diamond-Like Film Applications. Lancaster-Basell, USA. 1998: 388–402.