РОСТ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА РАСПЫЛЕНИЕМ ИОННЫМ ПУЧКОМ // Вестник БГУ. Химия. Физика. - 2024. №1. . - С. 14-18.

РОСТ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА РАСПЫЛЕНИЕМ ИОННЫМ ПУЧКОМ

DOI: 10.18101/2306-2363-2024-1-14-18 УДК: 538.9

В статье рассмотрено выращивание тонких пленок оксида цинка (ZnO) методом распыления ионными пучками. Рост покрытий осуществляли при распылении мишени оксида цинка (ZnO) пучком ионов аргона (Ar+) в вакуумной установке с плазменными ионными источниками. Исследованы особенности ростовых процессов. Проведено моделирование, были вычислены теоретические коэффициенты распыления согласно теории Зигмунда. Эксперимент и расчеты позволили рекомендовать оптимальные параметры ростовых процессов.

тонкие пленки, оксид цинка, рост, моделирование, ионные пучки.

Семенов А. П., Халтанова В. М. Устройство с двумя ионными плазменными источниками для нанесения тонких пленок // Приборы и техника эксперимента. 1990. № 6. С. 188–190. Текст: непосредственный.

Sigmund P. Theory of sputtering. Phys. Rev. 1969; Vol. 184, № 2: 383–416.

Халтанов В. Э. Тонкие пленки оксида цинка ZnO: моделирование роста распылением ионным пучком // Актуальные вопросы научных исследований: материалы IX Международной научно-практической конференции. Саратов: Цифровая наука, 2023. С. 34–38. Текст: непосредственный.